Utánzat és hibák megelőzése
Látvány- és csomagolásellenőrzés
Elektromos teljesítmény ellenőrzése
Szolgáltatási email:
[email protected]
>
IRF640PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
25400 Új, eredeti, készleten lévő db
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ajánlatkérés
(Holnap szállít)
*Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (168 Értékelések)
IRF640PBF
Termékáttekintés
12867157
DiGi Electronics Cikkszám
IRF640PBF-DGGyártó
Vishay Siliconix
IRF640PBF
Leírás
MOSFET N-CH 200V 18A TO220ABKészlet
25400 Új, eredeti, készleten lévő db
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
Vásárlás és érdeklődés
Garancia & Visszatérítés
Hogyan rendeljen
Szállítás és Átvétel
Minőségbiztosítás
365 napos minőségbiztosítás - Minden alkatrész teljes körű garanciával
90 Napos Visszatérítés vagy Csere - Hibás részek esetén? Nélküled jelentősége nincs.
Készletkészlet, Rendelje meg most - Szerezzen megbízható alkatrészeket gond nélkül.
Nemzetközi Szállítás & Biztonságos Csomagolás
Nemzetközi szállítás 3-5 munkanapon belül
100% ESD antistatikus csomagolás
Valós idejű nyomon követés minden rendeléshez
Biztonságos és Rugalmas Fizetés
Bankkártya, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Távközlési Átutalás (T/T) és még sok más
Minden fizetés titkosítva a biztonság érdekében
IRF640PBF Műszaki jellemzők
Kategória
Tranzisztorok, FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Csomagolás
Bulk
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
18A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
70 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
125W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220AB
Csomag / tok
TO-220-3
Alap termékszám
IRF640
Műszaki adatlap és dokumentumok
HTML Adatlap
IRF640PBF-DG
Adatlapok
IRF640, SiHF640
Packaging Information
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
További információk
Standard csomag
50
Egyéb nevek
*IRF640PBF
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
december 02, 2025
Une entreprise qui garantit une livraison efficace pour répondre à nos besoins urgents.
december 02, 2025
They responded to my technical support requests promptly, saving me valuable project time.
december 02, 2025
Efficient logistics ensured my order arrived on time, and the support team was always available to help.
december 02, 2025
Getting high-value products at such low prices is truly a benefit of shopping here.
december 02, 2025
Excellent after-sales service that gives me peace of mind after each purchase.
december 02, 2025
I was impressed by their proactive communication and quick turnaround.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Gyakran Ismételt Kérdések (GYIK)
Mik a fő jellemzői az IRF640PBF MOSFET-nek?
Az IRF640PBF egy N-csatornás MOSFET, melynek feszültségtűrése 200V, folyamatos drain áramfelvétele pedig 18A. Jellemzi alacsony Rds On (max. 180 mΩ 11A-nál, 10V-on) és akár 125W teljesítmény-hasznosítással, így magas teljesítményű alkalmazásokhoz ideális.
Kompatibilis-e az IRF640PBF szabványos elektronikai alkatrészekkel?
Igen, az IRF640PBF kompatibilis a hagyományos through-hole szereléssel, és maximális gate feszültséggel, 20V-ossal vezérelhető. Széles körben alkalmazzák erősítők és kapcsolóáramkörökben.
Milyen tipikus alkalmazási területei vannak az IRF640PBF MOSFET-nek?
Ez a MOSFET kifejezetten alkalmas tápegységek, motorellenőrző rendszerek és magasfeszültségű kapcsolási alkalmazások számára, köszönhetően magas feszültség tűrésének és hatékony teljesítményének magas hőmérsékleti környezetben.
Hogyan teljesít az IRF640PBF hőmenedzsment szempontjából?
Az IRF640PBF akár 125W dissipációra képes megfelelő hűtéssel, és megbízhatóan működik -55°C és 150°C közötti hőmérsékleti tartományban, biztosítva a stabil teljesítményt még igényes körülmények között is.
Mit érdemes figyelembe venni az IRF640PBF MOSFET vásárlásakor?
Vásárláskor ellenőrizze, hogy megfelel-e az Ön áramkörének feszültség- és áramigényeinek. Új, eredeti csomagolásban elérhető, nagy tételben vásárolható, és megfelel a RoHS szabványoknak az környezettudatos felhasználás érdekében.
Minőségbiztosítás (QC)
A DiGi szavatolja minden elektronikus alkatrész minőségét és hitelességét professzionális ellenőrzések és tételek szerinti mintavételezés révén, biztosítva megbízható beszerzést, stabil működést és a műszaki előírásoknak való megfelelést, ezzel segítve az ügyfeleket a szállítási lánc kockázatainak csökkentésében és az alkatrészek magabiztos felhasználásában a gyártás során.
IRF640PBF CAD Models
Vishay Siliconix IRF640PBF PCB symbols & footprints
productDetail
