Utánzat és hibák megelőzése
Látvány- és csomagolásellenőrzés
Elektromos teljesítmény ellenőrzése
Szolgáltatási email:
[email protected]
>
IRF6691TR1PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
3705 Új, eredeti, készleten lévő db
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Ajánlatkérés
(Holnap szállít)
*Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (254 Értékelések)
IRF6691TR1PBF
Termékáttekintés
12857091
DiGi Electronics Cikkszám
IRF6691TR1PBF-DGGyártó
Infineon Technologies
IRF6691TR1PBF
Leírás
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETKészlet
3705 Új, eredeti, készleten lévő db
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
Vásárlás és érdeklődés
Garancia & Visszatérítés
Hogyan rendeljen
Szállítás és Átvétel
Minőségbiztosítás
365 napos minőségbiztosítás - Minden alkatrész teljes körű garanciával
90 Napos Visszatérítés vagy Csere - Hibás részek esetén? Nélküled jelentősége nincs.
Készletkészlet, Rendelje meg most - Szerezzen megbízható alkatrészeket gond nélkül.
Nemzetközi Szállítás & Biztonságos Csomagolás
Nemzetközi szállítás 3-5 munkanapon belül
100% ESD antistatikus csomagolás
Valós idejű nyomon követés minden rendeléshez
Biztonságos és Rugalmas Fizetés
Bankkártya, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Távközlési Átutalás (T/T) és még sok más
Minden fizetés titkosítva a biztonság érdekében
IRF6691TR1PBF Műszaki jellemzők
Kategória
Tranzisztorok, FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Csomagolás
-
Sorozat
HEXFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
71 nC @ 4.5 V
VGS (max.)
±12V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
6580 pF @ 10 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
DIRECTFET™ MT
Csomag / tok
DirectFET™ Isometric MT
Műszaki adatlap és dokumentumok
HTML Adatlap
IRF6691TR1PBF-DG
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
További információk
Standard csomag
1,000
Egyéb nevek
IRF6691TR1PBFCT
SP001530288
IRF6691TR1PBFTR
IRF6691TR1PBFDKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
december 02, 2025
お得な価格で良質な商品を購入できて大満足です。スタッフもフレンドリーで、初めての方でも安心して買い物できると思います。
december 02, 2025
Their account managers are attentive and ensure our account needs are met efficiently.
december 02, 2025
The shipping was incredibly fast, and the packaging was so robust that nothing was disturbed.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Gyakran Ismételt Kérdések (GYIK)
Mik azok az IRF6691TR1PBF MOSFET fő jellemzői?
Az IRF6691TR1PBF egy kiváló teljesítményű N-csatornás MOSFET, amely maximális drain-source feszültsége 20V és folyamatos drain áramerőssége 32A. Alacsony Rds On-értéke 1,8 millió Ohm, és felületi szerelésű DirectFET™ csomagban kapható, ami ideálissá teszi hatékony kapcsolási alkalmazásokhoz.
Alkalmas-e az IRF6691TR1PBF nagy áramú tápellátó ágakhoz?
Igen, ez a MOSFET képes nagy áramokat kezelni, akár 180A-t esetenkénti hőmérsékleten is, így ideális azokhoz a tápenergia-áramkörökhöz, amelyek magas áramkapacitást és alacsony vezetési veszteséget igényelnek.
Milyen hőmérsékleti tartományban működik az IRF6691TR1PBF MOSFET?
Az IRF6691TR1PBF hatékonyan működik -40°C és 150°C között, így megbízható teljesítményt nyújt különböző hőmérsékleti környezetekben.
Kompatibilis-e az IRF6691TR1PBF a standard kapugelőfeszítésekkel?
Igen, támogatja a maximális ±12V kapugelőfeszítést, és optimalizált a 4,5V-os és 10V-os meghajtási feszültségekre, ezért kompatibilis a gyakran használt kapugátló áramkörökkel.
Miben segít az IRF6691TR1PBF MOSFET az elektronikus tervezéseimben, és könnyen beszerezhető?
Ez a MOSFET alacsony Rds On értékkel, nagy áramkapacitással és hatékony hőelvezetéssel növeli az áramkör hatékonyságát. Raktáron van, és számos professzionális alkalmazáshoz alkalmas.
Minőségbiztosítás (QC)
A DiGi szavatolja minden elektronikus alkatrész minőségét és hitelességét professzionális ellenőrzések és tételek szerinti mintavételezés révén, biztosítva megbízható beszerzést, stabil működést és a műszaki előírásoknak való megfelelést, ezzel segítve az ügyfeleket a szállítási lánc kockázatainak csökkentésében és az alkatrészek magabiztos felhasználásában a gyártás során.
IRF6691TR1PBF CAD Models
Infineon Technologies IRF6691TR1PBF PCB symbols & footprints
productDetail
