Utánzat és hibák megelőzése
Látvány- és csomagolásellenőrzés
Elektromos teljesítmény ellenőrzése
Szolgáltatási email:
[email protected]
>
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
30390 Új, eredeti, készleten lévő db
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Ajánlatkérés
(Holnap szállít)
*Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (206 Értékelések)
BSZ060NE2LSATMA1
Termékáttekintés
12852804
DiGi Electronics Cikkszám
BSZ060NE2LSATMA1-DGGyártó
Infineon Technologies
BSZ060NE2LSATMA1
Leírás
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSONKészlet
30390 Új, eredeti, készleten lévő db
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
Vásárlás és érdeklődés
Garancia & Visszatérítés
Hogyan rendeljen
Szállítás és Átvétel
Minőségbiztosítás
365 napos minőségbiztosítás - Minden alkatrész teljes körű garanciával
90 Napos Visszatérítés vagy Csere - Hibás részek esetén? Nélküled jelentősége nincs.
Készletkészlet, Rendelje meg most - Szerezzen megbízható alkatrészeket gond nélkül.
Nemzetközi Szállítás & Biztonságos Csomagolás
Nemzetközi szállítás 3-5 munkanapon belül
100% ESD antistatikus csomagolás
Valós idejű nyomon követés minden rendeléshez
Biztonságos és Rugalmas Fizetés
Bankkártya, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Távközlési Átutalás (T/T) és még sok más
Minden fizetés titkosítva a biztonság érdekében
BSZ060NE2LSATMA1 Műszaki jellemzők
Kategória
Tranzisztorok, FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
OptiMOS™
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
25 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
9.1 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
670 pF @ 12 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
PG-TSDSON-8-FL
Csomag / tok
8-PowerTDFN
Alap termékszám
BSZ060
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
BSZ060NE2LS
HTML Adatlap
BSZ060NE2LSATMA1-DG
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
További információk
Standard csomag
5,000
Egyéb nevek
BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LS-DG
BSZ060NE2LSATMA1CT
BSZ060NE2LSDKR-DG
BSZ060NE2LSCT-DG
SP000776122
BSZ060NE2LSTR-DG
BSZ060NE2LSATMA1DKR
BSZ060NE2LSDKR
BSZ060NE2LSATMA1TR
BSZ060NE2LSCT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
december 02, 2025
每次來都能享受到親切的服務，價格讓人感到物超所值。
december 02, 2025
Leur efficacité dans la gestion des livraisons et le support après-vente est remarquable.
december 02, 2025
The affordability of their products allows me to stay within my budget.
december 02, 2025
Their diverse product range allows for versatile use cases across different industries.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Gyakran Ismételt Kérdések (GYIK)
Mikor és milyen fő jellemzői vannak az Infineon OptiMOS™ N-típusú MOSFET BSZ060NE2LSATMA1-nek?
Ez a MOSFET 25 V-os drain-to-source feszültséget, akár 12 A folyamatos drain áramot, és pulzáló áramként akár 40 A-t képes kezelni. Alacsony Rds On értéket (6 mΩ 20 A-nál, 10 V) kínál, és nagy teljesítmeny elnyelésre képes, ezért különböző nagyfeszültségű és teljesítményű alkalmazásokban ideális. Felületre szerelhető és RoHS3-kompatibilis, biztosítva a könnyű beépítést és környezeti biztonságot.
Milyen tipikus felhasználási módjai vannak ennek a 25 V-os N-típusú MOSFET-nek az elektronikus áramkörökben?
Ez a MOSFET kiváló választás kapcsolóerősítők, motorvezérlés és más magas hatékonyságú energiaellátási alkalmazásokhoz. Magas áramkapacitásával és alacsony Rds On értékével segít csökkenteni az energia veszteséget és a hőképződést a tervezéseiben.
Működik-e a BSZ060NE2LSATMA1 MOSFET a szabványos kapufeszültségekkel, és mi az logikai szintű működése?
Igen, ez a MOSFET hatékonyan működtethető 4,5 V és 10 V közötti gate-to-source feszültséggel, így ideális logikai szintű vezérlő áramkörökhöz. Maximális Vgs értéke ±20 V, küszöbfeszültsége pedig legfeljebb 2 V, ami megbízható működést garantál a szabványos logikai szinteken.
Mik az előnyei annak, hogy ezt az Infineon MOSFET-et választom más hasonló termékek helyett?
Ez a MOSFET alacsony Rds On értéket, magas teljesítmény elnyelést és kompakt felületre szerelt csomagolást kínál, ami magas hatékonyságot és könnyű összeszerelést tesz lehetővé. Strapabíró hő- és elektromos paraméterei alkalmassá teszik igényes nagyáramú alkalmazásokhoz és hosszú távú megbízhatósághoz.
Hogyan vehetem meg, és milyen garancia vagy támogatás jár a BSZ060NE2LSATMA1 MOSFET-hez?
A MOSFET tünetcsomagban, tekercses csomagolásban elérhető, több mint 26 000 egység raktáron. További támogatási és garanciális információkért vegye fel a kapcsolatot a beszállítóval vagy forgalmazóval, akik általában műszaki támogatást és termékgaranciát nyújtanak a standard alkatrészekhez.
Minőségbiztosítás (QC)
A DiGi szavatolja minden elektronikus alkatrész minőségét és hitelességét professzionális ellenőrzések és tételek szerinti mintavételezés révén, biztosítva megbízható beszerzést, stabil működést és a műszaki előírásoknak való megfelelést, ezzel segítve az ügyfeleket a szállítási lánc kockázatainak csökkentésében és az alkatrészek magabiztos felhasználásában a gyártás során.
BSZ060NE2LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
